在高真空的条件下，入射离子（Ar+）在电场的作用下轰击靶材，使得靶材表面的中性原子或分子获得足够动能脱离靶材表面，沉积在基片表面形成薄膜。但是，电子会受到电场和磁场的作用，产生漂移，因而导致传溅射效率低，电子轰击路径短也会导致基片温度升高，为了提高溅射效率，在靶下方安装强磁铁，中央和周圈分别为N、S极。电子由于洛伦兹力的作用被束缚在靶材周围，并不断做圆周运动，产生更多的Ar+轰击靶材，大幅提高溅射效率，采用强磁铁控制的溅射称为磁控溅射。
- 真空腔室：尺寸：高真空不锈钢镀膜室：尺寸600×450×500mm 方形结构不能小，前门开在手套箱体内；与手套箱无泄漏对接。溅射靶及靶挡板从腔室底部引入；基片台及基片台挡板位于腔室的顶部；真空室右侧主抽管道法兰，安装限流阀、插板阀和分子泵；工作气体与反应气体从腔室底部进入；前后门中心位置各安装一个磁力Φ80mm 观察窗（带挡板）；充气阀充氮气位于腔室底部位置；
2．真空系统：复合分子泵+直联旋片泵+高真空阀门组合的高真空系统，数显复合真空计监测真空度；真空极限为6.6×10-5Pa（空载，经烘烤除气后）。不工作之后设备升压率：≤0.8Pa/h（12 小时平均值）；设备保压：停泵12 小时后，设备真空度≤10 Pa；从大气抽至8.0×10-4Pa≤30min（设备空载）。
3.基片台：抽屉式结构，8英寸及英寸范围内可装卡各种规格基片；转速0-20r/min，膜厚不均匀性≤±5%。
4．溅射靶及电源：2套4英寸永磁共焦磁控溅射靶共同工作，溅射靶角度、高度可调，配有气动挡板；配备1台直流脉冲电源，1套射频电源；4 英寸永磁共焦磁控溅射靶，溅射靶角度、高度可调，支持直流、射频电源溅射；
5.工作方式：各靶可独立/顺次/共同工作，采用磁控靶从下向上溅射镀膜；
6.自动恒压控制系统：薄膜规+电机驱动控制阀+控制软件闭环自动控制；保持镀膜时工艺压力稳定；
7.控制方式：PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统；
8．报警及保护：对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统。
1.送样要求：联系设备管理员告知样品详情并咨询。
2.预约说明
A.需要至少提前一天联系设备管理员完成预约；
B.由特定人员完成镀膜实验，其他人不得随意操作仪器。
3.预约时间
研究院内：工作日上午8:30-11:30，下午2:00-4:30（国家双休日、法定节假日除外）
研究院外：工作日上午8:30-11:30，下午2:00-4:30（国家双休日、法定节假日除外）
